2月8日，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在苏州盛大开幕。
在这场被视为全球第三代半导体行业风向标的盛会上，大会主席、全国政协教科卫体委员会副主任、科技部原副部长曹健林，中国科学院院士、浙江大学教授杨德仁，中国科学院院士、南昌大学副校长、教授江风益，中国工程院院士、有研科技集团首席科学家黄小卫，中国工程院院士、清华大学教授罗毅，科技部高技术研究发展中心副主任卞曙光，科技部高新司材料处原一级调研员曹学军，苏州工业园区管委会副主任王晓荣，厦门大学党委书记、教授张荣，中国科学院特聘研究员李晋闽，北京大学理学部副主任、教授沈波，江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员徐科，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲等嘉宾领导，来自北京大学、香港科技大学、清华大学、厦门大学、山东大学、浙江大学、南京大学、国家第三代半导体技术创新中心（山西平台）、中国电子科技集团48所、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室、深圳平湖实验室、湖北九峰山实验室、季华实验室等高校科研院校机构的领导、专家、学者，以及来自蔚来汽车、中微公司、天马微电子、南砂晶圆、光莆股份、木林森、晶湛半导体等众多国内外企业的高层领导、技术专家和市场负责人代表参与论坛。还有来自半导体照明及第三代半导体及相关领域的知名专家学者、企业领袖、行业组织领导、投资机构代表超1600人参与论坛。
顺应新生态，聚焦新格局
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料被称为绿色半导体，双碳背景下，产业结构将面临深刻的低碳转型挑战，能源技术将会引领能源产业变革，实现创新驱动发展。大数据、区块链、人工智能等新技术的快速使用，带动数字经济的高速发展，使半导体行业朝着高性能、低功耗的目标发展，从而带动消费电子、医疗电子、电力电子、国防装备电子的更新换代和产业升级。
在开幕大会上，论坛程序委员会主席、厦门大学党委书记张荣教授介绍了本次论坛的组织概况并表示，作为开年首场第三代半导体领域极具规模和影响力的核心论坛盛会，过去几年因为疫情阻隔业界交流受阻，论坛的顺利召开非常感谢业界的大力支持，以及大会组委会的付出与贡献。本届论坛程序委员会和组委会同心协力，组织了190余个专业报告，共设有近30场次论坛活动。吸引了来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者代表参与本次盛会，在交流中有更多的思想碰撞，对第三代半导体产业发展做出更大的贡献。
第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲致辞中表示，当前不论光电子、微波射频还是工业半导体都得到了长足的进步，面向未来绿色、低碳、数字等发展趋势，第三代半导体产业既处于黄金赛道，也面临很多问题和挑战，衷心希望论坛期间，业界同仁们可以更加深入的探讨产业发展的重要问题和困惑，把握未来趋势，更好的参与国际竞争，更期待业界同心协力，共同推动第三代半导体技术和产业的健康发展。
本届论坛移师苏州开启了新征程，苏州工业园区是全国开放程度最高，发展绩效最好，创新活力最强，营商环境最优的区域之一。苏州工业园区管委会副主任王晓荣致辞时表示，早在2006年园区就抢抓市场机遇，积极开展前瞻布局，目前已集聚相关企业60多家，形成了以设备辅材，材料外延为核心，以下游应用为支撑的完整产业链。凭借国家第三代半导体技术创新中心吸引了30余位国内外高层次的领军人才，形成了规模300人的核心科研团队，在大尺寸的材料制备等领域取得了重大的突破。园区正发挥优势大力推动创新链、产业链、资金链、人才链深度融合发展，全面打造国际一流的第三代半导体产业创新集群，加快坚决开放创新世界一流高科技园区，为第三代半导体技术和产业发展做出更大的贡献。
大会主席、中国工程院院士、中国工程院原副院长、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇致辞时表示，基于半导体材料的半导体芯片是信息化设备、人工智能、万物互联等各个行业不可或缺的支撑和基础，其发展水平反映一个国家高技术的实力，也是国防能力和国际竞争力的重要标志，对国家的经济增长和国防安全至关重要。第三代半导体是实现双碳目标的战略保障，也是经济高质量发展的重要支撑。我国第三代半导体器件水平在快速提升。在市场的推动下，中国半导体行业取得了长足进展。江苏作为长三角国家战略区域发展的先行和前沿地带，目前已形成以苏州等城市为中心的第三代半导体的产业集聚态势，整体规模位居全国前列。国家第三代半导体技术创新中心、苏州实验室经批准相继落户，成为江苏省第三代半导体产业高质量发展的新引擎。
全国政协教科卫体委员会副主任、国际半导体照明联盟主席曹健林致辞时指出，产业发展需要信心、决心，其中信心最重要的来源是那些成功的道路和成功的历史经验，其中，中国特色的科技发展和高新技术产业发展道路是共同认可的典型。正是有一些成功的范例和经验，使我们尽管面临艰辛也能大步的走上来。历史给了我们信心，尽管有困难，我们一定能够克服困难坚定地走下去。我国具有大市场的优势，要实现跨越式发展，还需要大家共同努力，脚踏实地，面对困难，提供更多解决方案，以实际行动实现共同发展。
在与会嘉宾的见证下，先进半导体产教融合人才工程启动，工程将以 《第三代半导体产业人才发展指南》为基石，不断推进优质资源的产教融合，并且为产业培养和输送高质量人才，以支撑技术创新和迭代以及产业的生机发展。
此外，2022年国际半导体照明联盟（ISA）全球半导体照明突出贡献奖评选揭晓，在支持发展中国家和新型经济体市场向节能照明电器和设备转型中做出积极贡献的联合国环境署能效联盟获此殊荣。
升级视野思路 探索低碳未来
开幕大会主题论坛环节，五大国际重量级报告从不同角度、不同领域分享国际半导体产业新发展、新方向，兼具高屋建瓴的格局分析与前沿趋势引领，中国科学院特聘研究员、半导体照明联合创新国家重点实验室主任李晋闽与浙江大学教授、浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长盛况联袂主持了大会主题论坛环节。
会上，诺贝尔物理奖获得者、日本工程院院士、日本名古屋大学未来材料与系统研究所天野浩教授分享了基于氮化镓和氮化铝化合物材料追求短波长固态光发射器的主题大会报告，报告结合详细的研究数据，指出目前正在改变整个半导体技术从杂质控制的导电性到极化控制导电性的转变。希望有机会提供深远红外激光二极管，并基于此建立新的供应链。
SiC MOSFET具有高温工作损耗低、功率密度高等优势，在新能源汽车、新能源发电、储能、工业电机、消费电子、轨道交通、高压输变电等领域应用前景可观。中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任柏松做了题为SiC功率MOSFET技术及应用进展的主题报告。报告中详细介绍了低压碳化硅MOSFET产品研制进展和市场应用情况，以及面向未来应用需求开展高压碳化硅器件技术开发的最新进展。
柏松指出，新能源汽车、光伏和储能等中低压应用推动了碳化硅电力电子产业快速增长。解决高可靠、高电流密度碳化硅MOSFET器件设计、制造、封装等问题是实现持续增长的关键。碳化硅在电网、轨道交通等高压领域的应用优势得到初步展示，亟待联合攻关实现批量工程应用。
在当今的电力电子产品中，质量和可靠性至关重要。当前关注重点主要是在效率、密度和成本上，设计高度定制，方法已达到成熟水平，任何性能属性的进一步改进，可能都会以牺牲效率、功率密度、成本等为代价。此外，制造过程处于劳动密集型，并在很长时期都维持此种状态。与硅对应物相比，新一代宽带隙功率半导体器件（如SiC和GaN）显著降低了传导和开关损耗。当前使用宽禁带半导体材料器件的行业设计实践主要基于即插即用概念，类似的设计实践是将开关频率提高 2-3 倍。以这种方式改进是渐进的，未能实现宽禁带半导体材料的真正潜力。
美国弗吉尼亚理工大学大学特聘教授、美国工程院院士、美国国家发明家院士、中国工程院外籍院士李泽元（Fred C. Lee）在大会视频主题报告中分享了在不影响效率的情况下，将开关频率提高10倍或更多，以及实现系统级异构集成的方法。在这种集成方法中，效率、功率密度、EMI/EMC 的显著提高同时实现，大多数电力电子产品的制造过程都可以实现自动化，并有望显著降低成本。这种方法与当前的做法有很大的不同，也将有可能实现变革性的变化。
作为第三代半导体材料的典型代表，在电动汽车领域的应用前景可期，蔚来汽车功率半导体设计团队负责人、高级总监李道会做了题为宽禁带半导体助推电动汽车进程的主题报告，结合功率半导体器件在电动汽车中的实际应用，比如换电、驱动等，分享了功率半导体在电动汽车中的应用以及未来更智能的EDS。作为国内电动汽车发展的代表性力量，蔚来正积极推动全球化布局，并且非常看好氮化镓器件的应用潜力。李道会指出，目前在DC等应用方面，氮化镓驱动是薄弱项，国内半导体企业和驱动芯片设计企业联手，将更有利于动氮化镓的应用。
近年来，随着人们对不同类型的发光器件的深入研究，新型显示与照明技术得到了相应的发展，这为未来信息显示与照明的多元化应用奠定了良好的基础。随着物联网、云计算、大数据、人工智能、元宇宙等技术和数字经济的兴起，新型显示技术不断迭代，Mini/Micro LED显示技术正成为新兴显示技术新的一极，为显示领域注入了新的成长动力。
天马微电子集团研发中心总经理、Micro-LED研究院院长秦锋做了题为Micro-LED显示产业化进展与挑战的主题报告，报告指出，在高透明度中、在汽车中的应用潜力看好、技术上均匀性和功耗非常重要，要降低Micro-LED功耗，可以优化灯光形状、提高驱动电流、降低驱动器TFT的功耗。巨量转移主要还是围绕着巨量转移效率，良率等展开。
在为期三天时间里，除了开幕大会、本届论坛设有碳化硅衬底材料生长与加工、氮化物衬底材料生长与外延技术，功率模块与电源应用峰会、碳化硅功率电子材料与器件、氮化镓功率电子材料与器件、固态紫外材料与器件、化合物半导体激光器技术、Mini/Micro LED及其他新型显示技术、生物农业光照技术与产业应用峰会、射频电子材料与器件、超宽禁带及其他新型半导体材料与器件、教育照明与健康光环境、光医疗应用技术、第三代半导体产业人才发展论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体标准与检测研讨会等多场论坛活动。聚焦第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的国内外前沿进展、发展战略与机遇；第三代半导体材料相关技术与新一代信息技术、新能源汽车、新一代通用电源、高端装备等产业的相互促进与深度融合；产业链、供应链多元化与核心技术攻关等主题领域。
除了重磅精彩的大会和主题分会30余场次活动之外，论坛还设置了丰富的同期活动，并随着行业企业需求的发展变化不断调整完善，包括先进半导体技术应用创新展（CASTAS）、ISA全球突出贡献奖颁奖/POSTER优秀论文颁奖、商务考察、联盟成员/工作会议等等，为行业企业提供全方位的交流合作方式与平台。其中，先进半导体技术应用创新展吸引力近90家知名企业参与，几乎全面涵盖了第三代半导体产业链各个环节，参展企业展位交流互动人气爆棚，反响热烈。
作为首屈一指的经典行业盛会，秉持与时偕行的精神，守望产业的发展壮大。本届论坛是在国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、 国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、江苏省科学技术厅、苏州市科学技术局、苏州工业园区管理委员会的大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合主办。江苏第三代半导体研究院、苏州市第三代半导体产业创新中心、苏州纳米科技发展有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所等单位共同承办。论坛得到了来自国内以及美国、日本、德国、瑞典、英国、意大利、波兰、澳大利亚、新加坡等国家和地区近70家组织机构。历经近20年的成长蜕变，论坛已成为国内第三代半导体产业最坚定的支持和推动力量，并将持续升级，凝聚更多先进力量，为产业发展保驾护航。
