近日，毅达资本投资英诺赛科(苏州)科技有限公司(简称“英诺赛科”) D轮融资。本轮企业融资规模近30亿元，主要用于技术研发和高端设备采购等。
英诺赛科成立于2015年，是全球第三代半导体硅基氮化镓领域的龙头企业之一。公司技术实力在全球处于领先地位，产能在国内领先，在消费级市场中，快充产品已经占据了市场的先导地位。
近年来，半导体行业发展迅速，氮化镓作为第三代半导体材料，凭借优异的物理特性，给产业应用带来巨大的系统优势，应用前景非常广阔。随着规模化生产技术成熟，氮化镓将成为未来功率半导体的主流，在消费电子、数据中心、5G基站、新能源车等多个领域，氮化镓需求将迎来爆发式增长。
英诺赛科的核心技术团队由半导体和(电力)电子行业的专家和资深人士组成，在硅基氮化镓技术的开发和大规模量产方面拥有丰富的经验。公司还汇集了系统工程领域的专家，用于进行面向特殊应用和客户的开发板及其他电路系统的研制。
英诺赛科通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题，首次实现8英寸硅基氮化镓外延与芯片的大规模量产，同时填补了国内在该领域的空白。在非常短的时间内，英诺赛科打破了国外技术垄断，实现了国产氮化镓芯片的崛起。根据Trendforce 2021年数据，英诺赛科氮化镓功率产品全球市场占有率一举攀升至20%，跃升为全球第三。
此外，英诺赛科被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，也是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。
投资人说:毅达资本投资总监吴志刚表示，近年来，硅器件性能已临近材料极限，以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体迎来快速发展，特别是在“双碳”背景下，高频、低开关损耗的氮化镓正在加速与更多产业产生交汇点，应用前景非常广阔。英诺赛科作为全球最大的氮化镓功率器件制造企业之一，已经拥有世界领先的成熟8英寸氮化镓制造技术。随着氮化镓应用市场快速发展，我们将继续全力支持公司加速技术迭代，不断提升业务规模和领先优势。
